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CSD88599Q5DC

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：TI(德州仪器)

功能简述：MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP

原厂封装：22-PowerTFDFN

优势价格，CSD88599Q5DC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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CSD88599Q5DC的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供

制造商产品型号：CSD88599Q5DC

制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）

描述：MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：NexFET?

零件状态：有源

FET类型：2 个 N 通道（半桥）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4840pF @ 30V

功率-最大值：12W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：22-PowerTFDFN

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