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| 2N7002LDBZR-的报价和技术资料 - TI公司授权中国代理商 |
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2N7002LDBZR

TI图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：N-CHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FI
原厂封装：封装:SOT-23-3
优势价格，2N7002LDBZR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N7002LDBZR的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 型号:2N7002LDBZR
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:N-CHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FI
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:6 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.3V，5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 64mA，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 pC @ 5 V
  • Vgs（最大值）:7V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5 pF @ 6 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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