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CSD19533Q5AT
-的报价和技术资料 - TI公司授权中国代理商 |
CSD19533Q5AT
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
原厂封装:
封装:8-VSONP(5x6)
优势价格,CSD19533Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD19533Q5AT的技术资料下载
CSD19533Q5AT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
型号:CSD19533Q5AT
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:8-VSONP(5x6)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.4 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2670 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.2W(Ta),96W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-VSONP(5x6)
封装/外壳:8-PowerTDFN
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