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CSD25213W10
-的报价和技术资料 - TI公司授权中国代理商 |
CSD25213W10
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
原厂封装:
封装:4-DSBGA(1x1)
优势价格,CSD25213W10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD25213W10的技术资料下载
CSD25213W10的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
型号:CSD25213W10
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:4-DSBGA(1x1)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):47 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):478 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:4-DSBGA(1x1)
封装/外壳:4-UFBGA,DSBGA
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