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CSD86330Q3D

TI图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
原厂封装：封装:8-LSON（3.3x3.3）
优势价格，CSD86330Q3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD86330Q3D的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 型号:CSD86330Q3D
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:8-LSON（3.3x3.3）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 14A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大值:6W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerLDFN
  • 供应商器件封装:8-LSON（3.3x3.3）
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