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CSD87312Q3E
-的报价和技术资料 - TI公司授权中国代理商 |
CSD87312Q3E
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
TI(德州仪器)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
原厂封装:
封装:8-VSON(3.3x3.3)
优势价格,CSD87312Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD87312Q3E的技术资料下载
CSD87312Q3E的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
型号:CSD87312Q3E
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:8-VSON(3.3x3.3)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N 沟道(双)共源
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):33 毫欧 @ 7A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1250pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:8-VSON(3.3x3.3)
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