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JFE2140DR的图片

JFE2140DR

TI图标
分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC
原厂封装：封装:8-SOIC
优势价格，JFE2140DR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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JFE2140DR的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 型号:JFE2140DR
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
  • 描述:JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:2 N-通道（双）
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40 V
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):-
  • 漏极电流 (Id) - 最大值:50 mA
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):1.5 V @ 0.1 A
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13pF @ 5V
  • 电阻 - RDS(On):-
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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