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TPS1101DR的图片

TPS1101DR

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：TI(德州仪器)
功能简述：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
原厂封装：封装:8-SOIC
优势价格，TPS1101DR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TPS1101DR的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
  • 型号:TPS1101DR
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:15 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.25 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:+2V，-15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:791mW（Ta）
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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