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TPS1100D的图片

TPS1100D

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：TI(德州仪器)

功能简述：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC

原厂封装：8-SOIC

优势价格，TPS1100D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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TPS1100D的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供

制造商产品型号：TPS1100D

制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）

描述：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：15V

25°C时电流-连续漏极(Id)：1.6A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.45nC @ 10V

Vgs（最大值）：+2V，-15V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：791mW（Ta）

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-SOIC

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