TI代理商
渠道，TI芯片一站式采购平台
TI德州仪器芯片的即时报价、快速出货、无最低起订量
首页
TI德州仪器
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
CSD18511Q5AT
|
CSD18511Q5AT价格
|
CSD18511Q5AT技术资料
|
CSD18511Q5AT
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
TI(德州仪器)
功能简述：
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
原厂封装：
8-VSONP（5x6）
优势价格，CSD18511Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD18511Q5AT的技术资料下载
CSD18511Q5AT的功能参数资料 - TI公司(德州仪器)提供
制造商产品型号：CSD18511Q5AT
制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
描述：MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：NexFET?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C时电流-连续漏极(Id)：159A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 毫欧 @ 24A，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.45V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：63nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5850pF @ 10V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：104W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：8-VSONP（5x6）
想获取CSD18511Q5AT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多TI芯片的报价及技术资料
CSD18532NQ5B
晶
CSD18512Q5B
晶
INA281A4IDBVR
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓
ISO1541D
数字隔离器
REG710NA-2.5/3K
电源管理IC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
LMK03200EVAL/NOPB
评估和演示板及套件
TI芯片代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
TI公司（德州仪器）授权的国内
TI代理商
一手货源，大小批量出货
www.ti-semi.com
